其中，武汉新芯拟募集资金48亿元。用于12英寸集成电路制造生产线三期项目（43亿）和特色技术迭代及研发配套项目（5亿元）的投资，累计两项目合计投资金额达310亿元；“NM101”芯片则是新存科技与华中科技大学开展深度产学研合作结出的硕果。华中科技大学集成电路学院院长缪向水表示，该芯片显著降低了我国对国外存储技术的依赖，加速了国产新型存储器产业化进程。
值得一提的是，今年以来，中国在存储产业研发上面实现了多项突破：中科院研究团队在三维相变存储器（3DPCM）亚阈值读取电路、高可靠编程电路、模型方面取得了系列进展；四川电子科技大学团队突破固态量子存储器容量世界纪录；中国科学院金属研究所在铁电隧道结存储器获新进展；复旦大学研发团队开发了一种二维超快闪存的规模集成工艺，将推动超快颠覆性闪存技术的产业化应用进程；北京大学研发团队在忆阻器存算一体通用伊辛机芯片研究中取得新突破
01、存储厂商半年报回顾
众所周知，存储芯片是集成电路产业的重要分支，被视为半导体产业“风向标”。经过较长时间的下行周期后，自2023年下半年开始，存储产业低迷情况逐渐好转。而今年上半年，存储芯片市场发展势头较好，这一点从各大厂商上半年财报和存储产业价格变化可以窥探一二。
财报方面，根据国内存储企业8月份相继披露的财报来看，上半年存储厂商业绩普遍呈现增长。其中德明利的营收更是实现了268.5%的增长，佰维存储营收涨幅也逼近200%，此外，普冉股份、聚辰股份等厂商的营收也实现不同程度的增长。
国际厂商方面，SK海力士2024财年二季度营收同比大增152%至16.42万亿韩元，实现了季度收入创历史新高，营业利润5.47万亿韩元；三星电子在HBM和DDR5等高附加值产品需求带动下，其第二季销售额达74.07万亿韩元，净利润9.64万亿韩元，同比增长471%；而美光在2024财年第三季度亦实现总营收68.1亿美元，同比增长81.6%，净利润3.32亿美元，同比增长117.5%。
据市场研究机构TrForce集邦咨询此前预测，2024年全年，DRAM及NANDFlash产业营收年增幅度将分别增加75%和77%。
价格方面，集邦咨询资深分析师敖国锋近日在接受媒体采访时介绍，今年上半年存储芯片价格累计涨幅超四成，这显示出供应商在强力推升价格上涨，意在扭转亏损局面。敖国锋还指出，“随着AI扩大采用SSD应用，导致企业级SSD订单供不应求，价格在今年前三季度平均涨幅超过20%。”
展望下半年存储产业价格走势，集邦咨询发布的最新发布的调研报告显示，第四季存储器均价涨幅将大幅缩减，其中，一般型DRAM涨幅为0%至5%之间，但由于HBM比重逐渐提高，DRAM整体平均价格估计上涨8%至13%，较前一季涨幅明显收敛。
存储器价格涨势收敛，意味着接下来的存储市场依然充满不确定性，至于后续是否会再次走向低迷？还需经历时间的检验！
02、国内产业项目多点开花
毋庸置疑，当前在人工智能AI、服务器、5G、大数据、云计算等应用推动下，全球海量数据呈现爆发式增长，也同步刺激存储产业向好发展。与此同时，国内一批半导体存储项目也相继签约、开工
晶存科技存储芯片制造总部项目落户中山
4月3日，深圳市晶存科技有限公司与中山三乡镇人民政府、中山市投资控股集团有限公司签约，总投资10亿元的晶存科技存储芯片制造总部项目正式落地中山。
据“中山投控”介绍，晶存科技将投资超10亿元在中山市半导体产业园建设存储芯片测试线和先进封装工艺线。该项目选址中山半导体产业园，是中山半导体产业园建设的重要成果，将进一步增添中山在先进储存芯片测试及封装领域的实力。
官网资料显示，晶存科技是一家具备闪存控制器芯片设计及固件研发能力、存储芯片测试和销售于一体的国家高新技术企业，拥有自主品牌Rayson，涵盖eMMC、DDR3、DDR4、LPDDR4/4X、LPDDR5、eMCP、UFS、uMCP、SSD、DRAM模组等产品，广泛应用于手机、平板、OTT盒子、TV、车载、人工智能和物联网等多个领域，覆盖消费级、工规车规等市场。
2020年，晶存科技全资收购珠海妙存，进军闪存产品及主控芯片领域。未来，晶存科技在三乡落地的芯片制造总部将与珠海妙存研发团队紧密协同互动，加快产品研发与生产的迭代速度。
致真存储芯片制造项目开工奠基
2024年5月16日，致真存储芯片制造项目正式举行开工奠基仪式
致真存储芯片制造项目位于青岛市西海岸新区古镇口，占地面积50亩，将建设新一代磁性随机存储芯片加工工艺线，以加速磁存储芯片的产业化进程。项目将围绕存储芯片领域，吸引产业相关上下游企业进行落地布局。
根据资料显示，致真存储芯片制造项目由青岛海存微电子有限公司负责建设，项目全面建成达产后，将实现月产400万颗高端芯片，年产值数十亿。
致真存储成立于2019年，是国内唯一少数具有SOT-MRAM完整知识产权和8英寸研发、中试、量产线的厂商，成功研发国内首个80nm以下MRAM核心器件。致真存储分别在北京和青岛设立了研发和制造中心，并已签约青岛西海岸新区，总投资数30亿元，在新区建设8英寸和12英寸新一代存储芯片生产线。
康盈半导体高速固态存储智能制造基地项目签约
5月16日，深圳康盈半导体与江苏扬州维扬经济开发区签订高速固态存储智能制造基地项目进园协议。
据“都市维开”介绍，该项目总投资5亿元，用于SSD/PSSD（下一代固态存储）模组系列产品线建设，设备投资达0.8亿元，本项目建成投产后5年实现开票销售近10亿元，可累计实现税收近亿元。
资料显示，深圳康盈半导体是康佳集团旗下半导体产业的重要组成部分，也是国家高新技术企业、国家级专精特新小巨人企业。深圳康盈半导体专注于嵌入式存储芯片、模组、移动存储等产品的研发、设计和销售，主要产品涵盖eMMC、eMCP、UFS、MRAM、LPDDR、DDR、SSD、PSSD、内存条等。广泛应用于智能终端、智能穿戴、智能家居、物联网、网络通信、工控设备、车载电子、智慧医疗等领域。
连橙时代半导体项目落户宁乡
7月5日，连橙时代半导体芯片、模组研发生产基地及企业总部项目签约落地宁乡高新区。
据“长沙晚报”报道，此次签约的连橙时代项目拟投资10亿元，将建设半导体存储芯片、模组的研发中心、芯片封装生产基地及企业总部。
项目分两期建设，其中一期拟投资1亿元，建设研发设计及销售中心，在宁乡设立研发设计团队，采购晶圆等原材料，委托母公司湖南越摩先进半导体有限公司进行封装代工后，在园区销售存储芯片、模组等产品，预计实现年营收约8亿元；二期拟投资9亿元，建设芯片封装项目、企业总部，预计实现年营收20亿元。
湖南连橙时代电子有限公司董事长何新文表示，将依托兴橙资本强大的半导体全产业链资源优势，联合国际封装巨头，加快团队建设、市场开拓，目标是填补湖南在半导体产业中的短板，并推动整个产业的进步。
泽石科技葛店产业园项目正式获批
今年1月初，总投资20亿元的泽石固态硬盘模组及芯片封测生产基地项目落户湖北省鄂州市葛店经济技术开发区。
今年8月，该项目再次迎来新的进展，其固态硬盘模组生产基地（一期）A区规划设计方案顺利通过鄂州市葛店经开区国土空间规划委员会评审和批复。
据“”报道，该项目由北京泽石科技有限公司投资建设，其中一期投资10亿元，固定资产投资6亿元，主要建设固态硬盘模组生产基地，计划实现年产SSD模组600万片；二期投资10亿元，固定资产投资7亿元，主要建设闪存芯片封装测试生产基地，计划实现年产存储控制器芯片600万片。
据官网显示，泽石科技成立于2017年，是中科院微电子所下属的高科技存储公司，属于国家存储大战略的产业化布局中重要的组成部分，主要从事基于闪存芯片的固态存储技术，产品广泛应用于各著名PC厂商、金融等工控领域以及数据中心。目前，泽石科技已成功量产了28纳米PCIeGen3控制芯片，推出了全自主研发全国产的宽温SSD方案，下一代PCIeGen5控制芯片即将进行流片。
松山湖佰维存储晶圆级封测项目动工
8月9日，松山湖佰维存储晶圆级封测项目举行重大项目动工仪式。
松山湖佰维存储晶圆级封测项目由深圳佰维存储科技股份公司子公司广东芯成汉奇半导体技术有限公司投资建设。据“”报道，松山湖佰维存储晶圆级封测项目用地面积约102亩，总投资30.9亿元。该项目计划于2025年全面投产，主要打造晶圆级先进封测基地，将提供全方位的先进封装测试服务，助力东莞集成电路产业规模扩张与技术水平跃升。
官网信息显示，佰维存储成立于2010年，主要从事半导体存储器的研发设计、封装测试、生产和销售，主要产品为半导体存储器，其产品及服务涵盖嵌入式存储、工控存储、消费者存储与先进封测服务，广泛应用于移动智能终端、PC、行业终端、数据中心、智能汽车、移动存储等信息技术领域。
佰维存储是国家高新技术企业，于2022年12月成功登陆科创板，也是国家级专精特新小巨人企业，并获得国家集成电路产业投资基金二期战略投资。今年上半年（1-6月），佰维存储实现营收34.41亿元，同比大增199.64%，归属于上市公司股东的净利润2.83亿元。
力瑞信存储半导体智能制造基地项目即将投产
力瑞信存储半导体智能制造基地项目于2024年成功签约落地江苏扬州邗江区，是维扬经开区招引的重点产业项目。该项目总投资5亿元，分两期实施，一期总投资3亿元，租用约3000平方米厂房，用于PCIE高速硬盘、DDR4和DDR5内存条等生产线建设。
今年9月，“邗江发布”发文称，力瑞信存储半导体智能制造基地项目正在进场吊装，安装完毕后，将全面进入调试阶段，预计10月份正式投产。
资料显示，力瑞信（深圳）科技有限公司是一家从事存储芯片研发、生产和销售的科技公司，其产品主要销往美洲、中东等海外市场。目前，力瑞信成功引入扬州区政府产业基金扬州维扬知来产业投资合伙企业为天使轮投资人和战略股东。
其中，扬州区政府产业基金首期向力瑞信投资4950万元，并在扬州引入其全资子公司力瑞信（扬州）科技有限公司，支持其在扬州建设新的研发、生产、销售基地，进一步扩大产能。
通富微电Memory二期项目首台设备入驻
9月20日，通富通科(南通)微电子有限公司Memory二期项目首台设备入驻仪式在通富通科举行。首台设备的入驻，标志着通富微电在江苏南通市北高新区的存储器封测基地建设取得了阶段性成果。
据通富通科（南通）微电子有限公司总经理吉红斌介绍，Memory二期项目将新增8000平方米的净化车间，投产后每月可提供15万片晶圆。同时，项目将新增1.6亿元的设备投资，以支持嵌入式FCCSP、uPOP等高端产品的量产，更好地满足手机、固态硬盘和服务器等领域对高端存储器产品的国产化需求。
截至目前，通富通科项目的累计投资已达到约30亿元，累计产值则达到了10亿元。南通新闻报道指出，通富通达先进封测基地项目的正式开工与通富通科Memory二期项目首台设备的入驻，标志着这一百亿级重大项目的两个子项目实现了新的突破。
民翔半导体存储项目新进展
民翔半导体存储项目计划总投资10亿元，占地约40亩，总建筑面积约4.3万平方米，规划建设综合楼、生产厂房、宿舍楼及其他配套，分两期建设，其中一期拟投资3.5亿元，二期拟投资6.5亿元。
项目一期共分两个部分开展，其中一部分先行租用凯拉美厂房，主要是对厂房进行内部装修及设备采购安装，配置4条SMT贴片生产线；另一部分为新建厂房，由漳龙闽西南园区开发有限公司代建，预计第三季度开展设备安装调试，第四季度竣工投产。
据“漳州发改委”介绍，芗城区民翔半导体存储项目是漳州市2024年市级重点项目，也是芗城区招商签约的新质生产力项目代表。
该项目拟购置全自动芯片测试线和SMT贴片线，芯片封装和贴片全产业链生产线，封装测试产能达10KK/月芯片封测能力，5KK/月SMT贴片能力。项目建成后，预计5年内总产值超35亿元，总纳税额超1.2亿元。
该项目负责人卓归里此前介绍，民翔（项目一期）有20亩，预计9月30号可以移交。
